隨著各大手機和筆電廠商相繼入局，氮化鎵快充已逐漸成為一種行業(yè)趨勢。高頻、高效且能夠?qū)崿F(xiàn)“小冰塊”般小體積充電器特性的PD快充方案當(dāng)然非合封氮化鎵/集成GaN MOS功能的GaN解決方案莫屬了。45W、65W及以上功率段快充電源憑借著其小體積、低發(fā)熱等優(yōu)勢成為了PD快充行列里的新寵。針對消費類快充電源市場的應(yīng)用需求，誠芯微相繼推出多款合封氮化鎵芯片，覆蓋20W、45W、65W多功率段，電源廠商可根據(jù)實際需求進行選擇。

  誠芯微推出的多款氮化鎵電源芯片，均采用QR架構(gòu)設(shè)計，可以滿足20W-65W的USB PD快充電源設(shè)計需求。

   CX75GD080BL是一款集成高壓GaNFET功率器件高頻高性能準諧振式交直流轉(zhuǎn)換功率開關(guān)，應(yīng)用于27W內(nèi)高性能、低待機功率、低成本、高效率的隔離型反激式開關(guān)電源。

  CX75GD080BL這款芯片內(nèi)部集成了650V/800mΩ導(dǎo)阻的GaN HEMT，邏輯控制器，GaN驅(qū)動器，采用反激方式，采用SOP-8L封裝，輸出功率20W，最高工作頻率200KHz。

具體參數(shù)：

SSR：CX75GD080BL

SR:CX7538BS

協(xié)議芯片：CX2919AC/CX2920AC

輸入電壓:90-265V    

USB-C單口輸出

5V3A,9V2.22A,12V1.67A 3.3-11V 1.8A （20W Max）

USB-A單口輸出

5V3A,9V2A,12V1.5A 20W Max

最大效率:91%

PCB尺寸：38*34*19mm

功率密度：0.81W/cm3

  誠芯微合封20W氮化鎵快充電源方案采用CX75GD080BL初級合封氮化鎵芯片，配合CX7538BS同步整流控制器和3419同步整流管，由CX2919AC/CX2920AC協(xié)議芯片進行輸出電壓控制。電源采用簡單高效的反激拓撲，非常適合小功率的電源方案使用。

  CX75GD048H是一款集成高壓GaNFET功率器件高頻高性能準諧振式交直流轉(zhuǎn)換功率開關(guān)，應(yīng)用于36W內(nèi)高性能、低待機功率、低成本、高效率的隔離型反激式開關(guān)電源。

  CX75GD025E是一款集成高壓GaNFET功率器件高頻高性能準諧振式交直流轉(zhuǎn)換功率開關(guān)，應(yīng)用于45W內(nèi)高性能、低待機功率、低成本、高效率的隔離型反激式開關(guān)電源。

  CX75GD025E這款芯片內(nèi)部集成了650V/250mΩ導(dǎo)阻的GaN HEMT，邏輯控制器，GaN驅(qū)動器，采用反激方式，采用ESOP-10W封裝，輸出功率45W，最高工作頻率200KHz。

具體參數(shù)：

SSR：CX75GD025E

SR:CX7601

協(xié)議芯片：CX2919C

輸入電壓:90-265V    

C單口輸出:5V3A,9V3A,12V3A,15V3A,20V2.25A 3.3-11V 3A

45W Max

最大效率:92%

PCB尺寸：42.5*36.4*22mm

功率密度：1.32W/cm3

  CX75GD015E是一款集成高壓GaNFET功率器件高頻高性能準諧振式交直流轉(zhuǎn)換功率開關(guān)，應(yīng)用于65W內(nèi)高性能、低待機功率、低成本、高效率的隔離型反激式開關(guān)電源。

  CX75GD015E這款芯片內(nèi)部集成了650V/150mΩ導(dǎo)阻的GaN HEMT，邏輯控制器，GaN驅(qū)動器，采用反激方式，采用ESOP-10W封裝，輸出功率65W，最高工作頻率200KHz。

具體參數(shù)：

SSR：CX75GD015E

SR:CX7601

協(xié)議芯片：CX2911

USB-C1單口輸出:  5V3A,9V3A,12V3A,15V3A,20V3.25A

3.3-21V 3A  65W Max

USB-C2單口輸出: 5V3A,9V3A,12V3A,15V3A,20V3.25A

3.3-21V 3A 65W Max

USB-A單口輸出: 5V3A,9V3A,12V2.5A,20V1.5A 30W Max

USB-C1+USB-C2輸出：45W+20W

USB-C1+USB-A輸出：45W+18W

USB-C2+USB-A輸出：15W MAX

最大效率:94%

PCB尺寸：53.5*52*21mm

功率密度：1.11W/cm3

 誠芯微推出的多款合封氮化鎵芯較于傳統(tǒng)的氮化鎵快充方案（控制器+驅(qū)動器+GaN功率器件等），其合封氮化鎵方案電路設(shè)計具有簡潔高效，方案具有小體積、高性價比等特點。一顆芯片即可完成原有三顆芯片的功能，有效降低了快充方案在高頻下的寄生參數(shù)，使電源芯片外圍器件數(shù)量大幅降低，提升功率密度和效率的同時，還可節(jié)約成本、有效縮短產(chǎn)品生產(chǎn)周期。